西数将在明年底量产BiCS6代3D闪存 核心容量确定提

2021年闪存逐渐从96层过渡到了128层为主，再往下就是170层到200层的了，每家闪存厂商的方案都有所不同。

西数将在明年底量产BiCS6代3D闪存，堆栈层数提升到162，而且接口速度翻倍。

在闪存市场上，西数跟东芝是合作研发、生产的，BiCS技术其实主要是来自东芝，目前量产的主力是BiCS5。

2019年2月份发布，堆栈层数112层，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。

BiCS6闪存是下一代产品，堆栈层数最终确定为162层，而非之前所说的170+层，核心容量也提升到了1Tbit。

就是接口速度也将达到2.0Gbps，相比上代翻倍，不过距离三星最新的8代V-NAND闪存的2.4Gbps还有点距离。

根据西数的计划，BiCS6闪存将从明年初开始生产，但真正大规模量产要到2022年底了，现在的BiCS5闪存还要过渡至少一年。